型号: STB7NB60T4
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK
封装: Reel
下降时间: 5 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 5.3 S
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 125 W
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 1000
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