型号: STB80N20M5
功能描述: MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 61 A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 104 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 190 W
配置: Single
商标名: MDmesh
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: STB80N20M5
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: N-Channel MDmesh V Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 1.6 S
下降时间: 176 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 31 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 131 ns
典型接通延迟时间: 66 ns
单位重量: 4 g
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