型号:  STB80N20M5

功能描述:  MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  61 A

Rds On-漏源导通电阻:  23 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  104 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  190 W

配置:  Single

商标名:  MDmesh

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  STB80N20M5

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  N-Channel MDmesh V Power MOSFET

商标:  STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:  1.6 S

下降时间:  176 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  31 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  131 ns

典型接通延迟时间:  66 ns

单位重量:  4 g