型号: STB80NE03L-06T4
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 130nC @ 5V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 6500pF @ 25V
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 6 毫欧 @ 40A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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