型号: STB8N90K5
功能描述: MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 130 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
系列: STB8N90K5
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 13.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13.2 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 36.4 ns
典型接通延迟时间: 14.7 ns
单位重量: 2.200 g
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