型号: STB9NB50
功能描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE Power MESH MOSFET
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 8.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.85 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK
封装: Tube
下降时间: 11 ns
最小工作温度: - 60 C
功率耗散: 125 W
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 50
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