型号: STB9NB50
功能描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE Power MESH MOSFET
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 8.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.85 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK
封装: Tube
下降时间: 11 ns
最小工作温度: - 60 C
功率耗散: 125 W
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 50
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13421848389
Q Q:
联系人：陈诚
电话：13319535224
Q Q:
联系人：叶存
电话：13738123490
Q Q:
