型号:  STD10P6F6

功能描述:  MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  10 A

Rds On-漏源导通电阻:  160 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  6.4 nC

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  35 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  STripFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  STD10P6F6

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  14 ns

典型接通延迟时间:  64 ns

单位重量:  4 g