型号: STD5N20L
功能描述:
制造商:
典型关断延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 11.5 ns
典型栅极电荷@Vgs: 5 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds: 242 pF V @ 25
安装类型: 表面贴装
宽度: 6.2mm
封装类型: DPAK
尺寸: 6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目: 3
最低工作温度: -55 °C
最大功率耗散: 33000 mW
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 200 V
最大漏源电阻值: 0.7
最大连续漏极电流: 5 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 单
长度: 6.6mm
高度: 2.4mm
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：张晓辉
电话：15818682513
Q Q:
联系人：潘师傅
电话：13757510678
Q Q:
联系人：李凤达
电话：13622312261
Q Q:
