型号: STD6N10
功能描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
制造商: STMicroelectronics
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.45 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 35 W
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 75
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