型号:  STD9N65M2

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

系列：  MDmesh™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  10nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  315pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±25V

功率耗散（最大值）：  60W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  900 毫欧 @ 2.5A，10V

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  650V

连续漏极电流ID：  5A

Pd-功率耗散：  60 W

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  DPAK-3

Ciss-输入电容：  315 pF

下降时间：  18 ns

最小工作温度：  - 55 C

上升时间：  6.6 ns

商标名：  MDmesh

晶体管极性：  N-Channel

典型关闭延迟时间：  22.5 ns

Vds-漏源极击穿电压：  650 V

Vgs-栅源极击穿电压：  25 V

Id-连续漏极电流：  5 A

Rds On-漏源导通电阻：  900 m0hms

Vgs th-栅源极阈值电压：  3 V

Qg-栅极电荷：  10 nC

最大工作温度：  + 150 C

无铅情况/RoHs：  否