型号: STF10NM60ND
功能描述: N-Channel 600 V 550 mOhm FDmesh™ II Power Mosfet - TO-220FP
制造商: STMicroelectronics
系列： FDmesh™ II
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 8A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 19nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 540pF @ 50V
Vgs（最大值）： ±25V
功率耗散（最大值）： 25W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 550 毫欧 @ 4A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
封装形式Package： TO-220FP
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 8A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈小七
电话：13570880985
Q Q:
联系人：叶海林
电话：13590255829
Q Q:
联系人：吴小姐
Q Q:
