型号:  STFI34N65M5

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

RoHS：  符合 RoHS

最高工作温度：  + 150 C

34.7 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  Through Hole

封装/外壳：  I2PAKFP-3

系列：  STFI34N65M5

品牌：  STMicroelectronics

通道模式：  Enhancement

下降时间：  7.5 ns

最低工作温度：  - 55 C

晶体管极性：  N-Channel

上升时间：  8.7 ns

标准包装数量：  50

公司名称：  MDmesh

Vds - 漏-源击穿电压：  650 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  25 V

Id - C连续漏极电流：  28 A

Rds On - 漏-源电阻：  90 m0hms

配置：  Single

Vgs th - 门源门限电压：  4 V

62.5 nC：  Qg - 闸极充电

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  28A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  62.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2700pF @ 100V

功率耗散（最大值）：  35W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  110 毫欧 @ 14A，10V

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  I2PAKFP（TO-281）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs