型号: STGB10H60DF
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 带卷（TR）
IGBT 类型： 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 40A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 1.95V @ 15V，10A
功率 - 最大值： 115W
开关能量： 83µJ（开），140µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 57nC
25°C 时 Td（开/关）值： 19.5ns/103ns
测试条件： 400V，10A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 107ns
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK
其它名称： 497-14975-2
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