型号: STGD20N45LZAG
功能描述: IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO: 450 V
集电极—射极饱和电压: 1.25 V
栅极/发射极最大电压: 16 V
在25 C的连续集电极电流: 25 A
Pd-功率耗散: 150 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGD20N45LZAG
资格: AEC-Q101
集电极最大连续电流 Ic: 25 A
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 625 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: IGBTs
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：黄思维
电话：15915374071
Q Q:
联系人：朱生，李小姐
电话：13691729768
Q Q:
联系人：王先生
电话：029-62908067
Q Q:
