型号:  STGF30H60DF

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

IGBT类型：  沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：  600V

电流-集电极（Ic）（最大值）：  60A

脉冲电流-集电极(Icm)：  120A

不同 Vge，Ic时的 Vce（on）：  2.4V @ 15V，30A

功率-最大值：  37W

开关能量：  350µJ（开），400µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  105nC

25°C时Td（开/关）值：  50ns/160ns

测试条件：  400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  110ns

工作温度：  -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220FP

RoHS：  符合 RoHS

栅极发射机最大电压：  20 V

标准包装数量：  50

系列：  STGF30H60DF

连续集电极电流在25 C：  60 A

配置：  Single

集电极-发射极最大电压VCEO：  600 V

集电极-发射极饱和电压：  2.4 V

功率散耗：  37 W

品牌：  STMicroelectronics

安装风格：  Through Hole

最低工作温度：  - 40 C

最高工作温度：  + 175 C

栅射极漏电电流：  250 nA

无铅情况/RoHs：  否