型号: STGF30H60DF
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
IGBT类型: 沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值): 600V
电流-集电极(Ic)(最大值): 60A
脉冲电流-集电极(Icm): 120A
不同 Vge,Ic时的 Vce(on): 2.4V @ 15V,30A
功率-最大值: 37W
开关能量: 350µJ(开),400µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 105nC
25°C时Td(开/关)值: 50ns/160ns
测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 110ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220FP
RoHS: 符合 RoHS
栅极发射机最大电压: 20 V
标准包装数量: 50
系列: STGF30H60DF
连续集电极电流在25 C: 60 A
配置: Single
集电极-发射极最大电压VCEO: 600 V
集电极-发射极饱和电压: 2.4 V
功率散耗: 37 W
品牌: STMicroelectronics
安装风格: Through Hole
最低工作温度: - 40 C
最高工作温度: + 175 C
栅射极漏电电流: 250 nA
无铅情况/RoHs: 否
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