型号: STGW25M120DF3
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
特色产品： M-Series IGBTs
标准包装： 30
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 100A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.3V @ 15V，25A
功率 - 最大值： 375W
开关能量： 850µJ（开），1.3mJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 85nC
25°C 时 Td（开/关）值： 28ns/150ns
测试条件： 600V，25A，15欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 265ns
封装/外壳： TO-247-3
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247-3
其它名称： 497-15058-5
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