型号: STGW80H65DFB
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
特色产品： St Micro - 650 V IGBT HB Series Transistors
标准包装： 30
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 240A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2V @ 15V，80A
功率 - 最大值： 469W
开关能量： 2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 414nC
25°C 时 Td（开/关）值： 84ns/280ns
测试条件： 400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 85ns
封装/外壳： TO-247-3
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247
其它名称： 497-14368
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