型号:  STGWA40H120DF2

功能描述:  IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  IGBT 晶体管

RoHS:  是

技术:  Si

封装 / 箱体:  TO-247-3

安装风格:  Through Hole

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  1.2 kV

集电极—射极饱和电压:  2.5 V

栅极/发射极最大电压:  20 V

在25 C的连续集电极电流:  80 A

Pd-功率耗散:  468 W

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

系列:  STGWA40H120DF2

集电极最大连续电流 Ic:  80 A

高度:  5.15 mm

长度:  20.15 mm

工作温度范围:  - 55 C to + 175 C

宽度:  15.75 mm

商标:  STMicroelectronics

集电极连续电流:  40 A

栅极—射极漏泄电流:  250 nA

产品类型:  IGBT Transistors

工厂包装数量:  600

子类别:  IGBTs

单位重量:  38 g