型号: STGWA80H65DFB
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
IGBT类型: 沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值): 650V
电流-集电极(Ic)(最大值): 120A
脉冲电流-集电极(Icm): 240A
不同 Vge,Ic时的 Vce(on): 2V @ 15V,80A
功率-最大值: 469W
开关能量: 2.1mJ(开),1.5mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 414nC
25°C时Td(开/关)值: 84ns/280ns
测试条件: 400V,80A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 85ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247 长引线
无铅情况/RoHs: 否
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