型号: STGWA80H65DFB
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
IGBT类型： 沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）： 650V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 120A
脉冲电流-集电极(Icm)： 240A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）： 2V @ 15V，80A
功率-最大值： 469W
开关能量： 2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 414nC
25°C时Td（开/关）值： 84ns/280ns
测试条件： 400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 85ns
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247 长引线
无铅情况/RoHs： 否
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：林小姐
电话：15767842656
Q Q:
联系人：郭s
电话：13424225082
Q Q:
联系人：李先生
电话：13602549709
Q Q:
