型号: STI20NM65N
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 650 V
闸/源击穿电压: +/- 25 V
漏极连续电流: 19 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.19 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262
封装: Tube
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 160 W
上升时间: 10 ns
典型关闭延迟时间: 80 ns
联系人:曾舒媚
联系人:王
电话:13631598171
联系人:林先生
电话:15913992480
联系人:杨先生
电话:13534200224
联系人:朱先生
联系人:吴新
联系人:洪
电话:13652309457
联系人:林生
电话:13725502818
联系人:苏
电话:13534012217
联系人:李琼琼
电话:13645939965