型号: STI20NM65N
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 650 V
闸/源击穿电压: +/- 25 V
漏极连续电流: 19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.19 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262
封装: Tube
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 160 W
上升时间: 10 ns
典型关闭延迟时间: 80 ns
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：13530660733
Q Q:
联系人：李朝汉
Q Q:
联系人：Alice
电话：13502837809
Q Q:
