型号:  STI42N65M5

功能描述:  MOSFET NCH 65V 33A MDMESH V

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-262-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  33 A

Rds On-漏源导通电阻:  79 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  100 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  190 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  MDmesh

封装:  Tube

高度:  8.95 mm

长度:  10 mm

系列:  STI42N65M5

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.4 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  13 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  24 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  65 ns

典型接通延迟时间:  61 ns

单位重量:  1.438 g