型号: STL10DN15F3
功能描述: MOSFET 2N-CH 150V 10A POWERFLAT
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件： STL10DN15F3 View All Specifications
标准包装： 1
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： STripFET™ III
包装： 剪切带 (CT)
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源极电压 (Vdss)： 150V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 10A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 220 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 9.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 330pF @ 25V
功率 - 最大值： 50W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVDFN
供应商器件封装： PowerFlat™（5x6）
其它名称： 497-13427-1
ROHS： 无铅
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