型号:  STL12N10F7

功能描述:  MOSFET N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerFLAT-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  44 A

Rds On-漏源导通电阻:  13.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  30 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  52 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  STripFET

系列:  STL12N10F7

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  8.9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8.7 ns

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  28.6 ns

典型接通延迟时间:  22.4 ns