型号: STL200N45LF7
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列： STripFET™ F7
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 120A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 33nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5170pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 150W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.8 毫欧 @ 18A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVDFN
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 45V
连续漏极电流ID： 120A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：李家序
电话：18676798519
Q Q:
联系人：Grace
Q Q:
联系人：李木
电话：18988597617
Q Q:
