型号: STL4P3LLH6
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列： DeepGATE™，STripFET™ H6
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 4A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 639pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 56 毫欧 @ 2A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-PowerWDFN
封装形式Package： Power
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 4A
无铅情况/RoHs： 否
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Q Q:
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Q Q:
