型号: STL8N6F7
功能描述: MOSFET N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT-3.3x3.3-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
系列: STL8N6F7
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 3.95 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.25 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 12.1 ns
典型接通延迟时间: 7.85 ns
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