型号: STMSTB20NM60T4
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
制造商: stmicroelectronics
包装: 3D2PAK
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 600 V
最大连续漏极电流: 20 A
RDS -于: 290@10V mOhm
最大门源电压: ±30 V
典型导通延迟时间: 25 ns
典型上升时间: 20 ns
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型下降时间: 11 ns
工作温度: -65 to 150 °C
安装: Surface Mount
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