型号:  STP13NK60ZFP

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

系列：  SuperMESH™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  13A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 100µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  92nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2030pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±30V

功率耗散（最大值）：  35W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  550 毫欧 @ 4.5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220-3 整包

封装形式Package：  TO-220FP

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  600V

连续漏极电流ID：  13A

上升时间：  14 ns

下降时间：  12 ns

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

汲极/源极击穿电压：  600 V

漏极连续电流：  13 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：  0.55 0hms

配置：  Single

闸/源击穿电压：  ± 30 V

典型关闭延迟时间：  61 ns

功率耗散：  35 W

安装风格：  Through Hole

晶体管极性：  N-Channel

无铅情况/RoHs：  否