型号: STP180N10F3
功能描述: MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 114.6 nC
Pd-功率耗散: 315 W
配置: Single
商标名: STripFET
封装: Tube
系列: STP180N10F3
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 6.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 97.1 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 330 mg
联系人：董先生
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