型号:  STP18N60DM2

功能描述:  MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  12 A

Rds On-漏源导通电阻:  260 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  20 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  90 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

系列:  STP18N60DM2

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:  -

下降时间:  32.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  9.5 ns

典型接通延迟时间:  13.5 ns

单位重量:  330 mg