型号:  STP190N55LF3

功能描述:  MOSFET N-Ch, 55V-2.9ohms 120A

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  55 V

Id-连续漏极电流:  120 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  18 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  312 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  STripFET

封装:  Tube

高度:  9.15 mm

长度:  10.4 mm

系列:  STP190N55LF3

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.6 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  40 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  40 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  160 ns

典型接通延迟时间:  20 ns

单位重量:  330 mg