型号: STP18N65M5
功能描述: Single N-Channel 650 V 110 W 31 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
制造商: STMicroelectronics
系列： MDmesh™ V
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 15A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 31nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1240pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±25V
功率耗散（最大值）： 110W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 220 毫欧 @ 7.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
封装形式Package： TO-220
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 650V
连续漏极电流ID： 15A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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