型号: STP200N4F3
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件： STP200N4F3 View All Specifications
产品培训模块： Automotive Grade Transistors and Discretes
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： STripFET??
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 120A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 4.4毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 5100pF @ 25V
功率 - 最大值： 300W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220-3
其它名称： 497-8789-5
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
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电话：13480875861
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