型号: STP25N06
功能描述: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 25 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 90 W
安装风格: Through Hole
封装 / � ea8 �体: TO-220-3
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 80 ns
最小工作温度: - 65 C
上升时间: 90 ns
工厂包装数量: 50
联系人：肖瑶，树平
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