型号: STP25N06
功能描述: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 25 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 90 W
安装风格: Through Hole
封装 / � ea8 �体: TO-220-3
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 80 ns
最小工作温度: - 65 C
上升时间: 90 ns
工厂包装数量: 50
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：肖圣
电话：17825673949
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：林浦
电话：13925272696
Q Q:
联系人：黄工
电话：18201635651
Q Q:
