型号:  STP25NM60ND

功能描述:  MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  21 A

Rds On-漏源导通电阻:  160 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  160 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  9.15 mm

长度:  10.4 mm

系列:  STB25NM60N

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.6 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  40 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  30 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  50 ns

典型接通延迟时间:  60 ns

单位重量:  330 mg