型号: STP26N60M2
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
功率耗散（最大值）: 169W（Tc）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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