型号: STP4N52K3
功能描述: MOSFET N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 525 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
Pd-功率耗散: 20 W
配置: Single
商标名: MDmesh
封装: Tube
系列: STP4N52K3
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 330 mg
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13312945979
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：朱超
Q Q:
