型号: STP6NC60
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 45.5nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1020pF @ 25V
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.2 欧姆 @ 3A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：李
电话：15018509257
Q Q:
联系人：吕先生
Q Q:
联系人：张先生
电话：18126038344
Q Q:
