型号: STP8NM60
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 400pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 100W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1 欧姆 @ 2.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220AB
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：朱
电话：13418855410
Q Q:
联系人：庄
电话：15913959769
Q Q:
联系人：方萍娟
电话：13631525115
Q Q:
