型号:  STP90N6F6

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

系列：  DeepGATE™，STripFET™ VI

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  84A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  74.9nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4295pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  136W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  6.8 毫欧 @ 38.5A，10V

工作温度：  175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220-3

封装形式Package：  TO-220

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  84A

Ciss-输入电容：  4295 pF

Id-连续漏极电流：  84 A

典型关闭延迟时间：  73 ns

安装风格：  Through Hole

晶体管极性：  N-Channel

最大工作温度：  + 175 C

最小工作温度：  - 55 C

Pd-功率耗散：  136 W

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

Qg-栅极电荷：  74.9 nC

Rds On-漏源导通电阻：  6.8 m0hms

Vds-漏源极击穿电压：  60 V

Vgs th-栅源极阈值电压：  4 V

Vgs-栅源极击穿电压：  ± 20 V

上升时间：  42 ns

下降时间：  16 ns

无铅情况/RoHs：  否