型号: STP95N3LLH6
功能描述: N-Channel 30 V 4.7 mO Flange Mount STripFET™ VI DeepGATE™ Mosfet - TO-220
制造商: STMicroelectronics
系列： DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 80A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 20nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2200pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 70W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 4.7 毫欧 @ 40A，10V
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
封装形式Package： TO-220
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 80A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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