型号: STQ1HNK60R-AP
功能描述: MOSFET POWER MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 4.95 mm
长度: 4.95 mm
系列: STQ1HNK60R
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.94 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
单位重量: 220 mg
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