型号:  STQ1NK80ZR-AP

功能描述:  MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-92-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  800 V

Id-连续漏极电流:  300 mA

Rds On-漏源导通电阻:  16 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  3 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Ammo Pack

高度:  4.95 mm

长度:  4.95 mm

系列:  STQ1NK80ZR-AP

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.94 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  55 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  30 ns

工厂包装数量:  2000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  22 ns

典型接通延迟时间:  8 ns

单位重量:  220 mg