型号: STS5DP3LLH6
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 56 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 639pF @ 25V
功率 - 最大值: 2.7W
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SO
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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