型号: STS6PF30L
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 28nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1670pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 30 毫欧 @ 3A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SO
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：刘晓亮
电话：13164778377
Q Q:
联系人：朱俊文
电话：18676381486
Q Q:
联系人：马先生
电话：13410864434
Q Q:
