型号:  STS8C5H30L

功能描述:  MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  5.4 A, 8 A

Rds On-漏源导通电阻:  22 mOhms, 55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  7 nC, 12.5 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.6 W, 2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.65 mm

长度:  5 mm

系列:  STS8C5H30L

晶体管类型:  1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET

类型:  MOSFET

宽度:  4 mm

商标:  STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:  8.5 S, 10 S

下降时间:  8 ns, 35 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  14.5 ns, 35 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  23 ns, 125 ns

典型接通延迟时间:  12 ns, 25 ns

单位重量:  85 mg