型号: STSJ100NHS3LL
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 35nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4200pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3W（Ta），70W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.2 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SOIC-EP
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：Helan
电话：13924672242
Q Q:
联系人：连焌烺
电话：15118133175
Q Q:
联系人：李先生
电话：13713713426
Q Q:
