型号:  STU6N65M2

功能描述:  MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-251-3

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  4 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.35 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  9.8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  60 W

商标名:  MDmesh

封装:  Tube

产品:  Power MOSFET

系列:  STU6N65M2

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  20 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  6.5 ns

典型接通延迟时间:  19 ns

单位重量:  4 g