型号: STW11NM65N
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 650 V
闸/源击穿电压: +/- 25 V
漏极连续电流: 12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.38 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 125 W
上升时间: 13 ns
典型关闭延迟时间: 55 ns
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：李腊
电话：18823425953
Q Q:
联系人：刘先生
电话：13724280706
Q Q:
联系人：许硕
电话：18898582398
Q Q:
