型号: STW14NK60Z
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 13.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 75nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2220pF @ 25V
功率耗散（最大值）: 160W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 500 毫欧 @ 6A，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈彬
电话：18123754219
Q Q:
联系人：康先生
电话：15830690676
Q Q:
联系人：覃S
电话：17722618128
Q Q:
