型号: STW17N62K3
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 620V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 15.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 94nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2500pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 50V
功率耗散（最大值）： 190W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 380 毫欧 @ 7.5A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247-3
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：欧阳小姐，elen
电话：18664962775
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：汪国涛，程福江
电话：13631558185
Q Q:
联系人：施小小
Q Q:
联系人：陈柏轩
电话：18822887913
Q Q:
